반도체4 네트워크 분석기 (Network Analyzer, NA)란? 네트워크 분석기 (Network Analyzer, NA)에 대해 알아보겠습니다. 일반적으로 회로망분석기 또는 NA라는 약자로 많이 사용됩니다. 네트워크 분석기는 장비 내에 주파수 source와 spectrum analyzer가 들어있어서, 입력과 출력의 주파수 신호 분포 결과를 서로 나눔으로써 S 파라미터를 측정하는 장비로 이해하면 됩니다. 네트워크 분석기로 측정 가능한 파라미터는 아래와 같습니다. - S parameters(magnitude, phase) - Reflection & Transmission - Input / Output Impedance - Timing Delay 네트워크 분석기는 보통 두 개의 동축 커넥터 포트가 달려있습니다. 각각 DUT(Device under test; 측정대상)의 .. 2023. 6. 30. PVD 공정이란? PVD는 Physical vapor deposition의 약자로 CVD와 달리 화학적 반응을 수반하는 것이 아니라 물리적으로 타겟을 때려 운동에너지를 통해 막질을 형성하는 공정입니다.운동에너지를 갖는 타겟 원자와 공기중의 기체가 충돌하여 scattering이 일어날 수 있으므로 고진공 상태에서 공정이 진행됩니다. 화학적 반응을 수반하지 않기 때문에 clean하며, 독성 반응 가스가 필요하지 않아 안전하고 박막간 adhesion이 비교적 높은 장점이 있습니다. 하지만 저압에서 공정하다보니, mean free path가 길고, 직진성을 가지고 있기 때문에 gap을 가지는 profile에서 CVD대비 side step coverage 특성이 상대적으로 불량합니다. [꼬리질문] PVD의 종류란? PVD는 타겟원.. 2023. 6. 27. PECVD란? Plasma Enhanced CVD의 약자로, 플라즈마를 에너지원으로 사용해 반응 소스를 활성화시키는 공정입니다. 고에너지의 플라즈마를 이용하면 기존 LPCVD(Low pressure CVD)와 같이 고온의 열에너지로 활성화시키는 것과 다르게, 저온에서 반응소스를 활성화시킬 수 있어 저온에서 박막증착이 가능하다는 장점이 있습니다. 최근 반도체 산업은 플라즈마를 적극적으로 활용해 반응에 필요한 activation energy를 감소시켜 낮은 온도에서도 반응을 유도함으로써 열역학적 한계를 극복하고 있습니다. [꼬리질문] PECVD와 LPCVD의 차이에 대해 설명하세요 우선 공정온도가 훨씬 낮습니다. LPCVD는 보통 600~900ºC에 공정온도를 가지며, PECVD는 200~500ºC의 공정온도로 therm.. 2023. 6. 27. 플라즈마란? (Plasma) PECVD에 대해 공부하기 전, 플라즈마에 대해 공부부터 해보겠습니다. 플라즈마에 대해서 설명하세요. 플라즈마는 물질의 상태 중 하나입니다. 물질의 상태에는 고체, 액체, 기체 그리고 플라즈마가 있는데 기체보다 에너지를 더 많이 받은 상태로 분자 혹은 원자가 이온화되고 전자와 공존하는 전기적으로 중성인 상태를 말합니다. 플라즈마를 형성하기 위해서는 기체 상태에서 더 높은 에너지를 가하면 됩니다. 보통 10만ºC 이상의 온도를 가해주거나, 강한 전계(electric field)를 인가해주면 플라즈마를 형성할 수 있습니다. 플라즈마 내에서 PECVD 반응 가스의 주요 반응은 ionization, exication, dissociation 3가지로 분류됩니다. 첫 번째 ionization은 플라즈마 형성 메커.. 2023. 6. 25. 이전 1 다음 728x90